DualGate MOS ausmessen

  • DGMOS wie BF981, BF982, BF910 werden wegen ihrer guten GF Eigenschaften in etlichen QRP Geräten eingesetzt.


    Ein großes Problem bei DGMOS ist, dass man immer wieder welche zu kaufen bekommt, deren Steilheit weit unter der Spezifikation liegt.
    Erik Beckers, DL2KEB hat ausgehend von einem Artikel den Wes Hayward W7ZOI veröffentlicht hat eine sehr schöne Anleitung geschrieben, wie man DGMOS ausmessen kann: Messung der Verstärkung bei JFET Transistoren.

  • Hallo Experimentier Freunde,


    Ich möchte darauf aufmerksam machen das der Link nicht mehr Aktuell ist und ins Leere geht, vielleicht hat ja jemand einen Aktuellen Link?


    Bis dann weiterhin lustiges Experimentieren es vy 72 73 de Norby aus dem Oinkk Kalten Belecke Aktuell - 9°C!!

    Vy 72/73s de Norby aus Belecke


    VFDB Z92
    DL-QRP-AG #209
    G-QRP # 12593
    AGAF #2086
    AGCW #3491
    EPC #1619 GM01

  • Gerhard


    Kleiner Hinweis: Die interne Verlinkung auf das "J-Fet Tutorial" am Ende des Artikels "Messung der Verstärkung von J-Fet Transistoren" auf Eurer DARC Webseite führt auch ins Leere und muss auch auf das neue Ziel geändert werden.


    73, Günter

    "For every complex problem there is an answer that is clear, simple, and wrong" (H.L. Mencken)

  • Hallo Freunde,


    Hallo Gerhard, Günter und Uwe,


    Vielen Dank ALLEN, nun ist meine Bookmark Liste wieder bereinigt die "NEUEN" Links Funktionieren nun wieder UFB und Danke für die Applikation(en), sind immer wieder mal zu gebrauchen wenn ich am Experimentieren bin und es nicht Funktioniert :)


    Bis denn und weiterhin frohes, vor allem erfolgreiches Experimentieren mit vy 72 73 de Norby aus Belecke :)

    Vy 72/73s de Norby aus Belecke


    VFDB Z92
    DL-QRP-AG #209
    G-QRP # 12593
    AGAF #2086
    AGCW #3491
    EPC #1619 GM01

  • Kleiner Hinweis: Die interne Verlinkung auf das "J-Fet Tutorial" am Ende des Artikels "Messung der Verstärkung von J-Fet Transistoren" auf Eurer DARC Webseite führt auch ins Leere und muss auch auf das neue Ziel geändert werden.

    Hi Günter,


    danke für den Hinweis, hab's behoben.


    vy 73 de DL2KEB Erik

  • Welcher FET ist der günstigste?


    Hallo Raimund,
    Dafür wäre die Steilheit entscheidend: Einfach die Gate-Spannung oberhalb der Schwelle um einen bestimmten Betrag z.B. 100mV ändern und die Stromdifferenz(!) notieren. Am besten an dem Arbeitspunkt ( gewünschter Drain-Strom ) der auch für die geplante Schaltung gilt messen - falls der nicht bekannt ist, zumindest bei vergleichbaren Drain-strömen, die Steilheit ist nicht überall gleich.
    Wenn der FET in der geplanten Schaltung keinen Gleichspannungs-Arbeitspunkt hat, könnte der FET mit der kleinsten Schwellspannung ( für einen bestimmten Strom ) die grösste Amplitude liefern.
    Viel Erfolg
    Peter/DL3PB

  • Um die Steilheit zu messen muss ich mir ein Steckbrett fertig machen....


    Hallo Raimund,
    ok, der FET ist selbstleitend d.h. mit 0V Gatespannung fliesst ein Strom zwischen 2 und 20mA lt. Datenblatt - also einfach Drainstrom mit Source und Gate kurzgeschlossen bei Versorgungsspannung messen und anschliessend eine definierte Gatespannung z.B. -1.5V aus Batterie anlegen und den ( nun niedrigeren ) Drainstrom erneut messen, die Strom-Differenz geteilt durch die angelegte Gatespannung ist ein brauchbares Maß für die Steilheit um diesen Arbeitspunkt ( auf der Mitte zwischen 0v bzw. -1.5V ), also bei -0.75V - er sollte bei einigen ( 2....6 ) mA/V = mS liegen.
    Das geht auch mit ein paar Kroko-klemmen - Batterie hat den Vorteil, das sie potentialfrei ist - der o.g. Kurzschluss empfiehlt sich, wenn man das Gate in der Luft hängen lässt, kann es alle möglichen Potentiale annehmen - ein Netzgerät mit Strombegrenzung braucht man dafür auch nicht, zumindest wenn man sich über den FET-Typ sicher ist - Fake-FETs ziehen oft ein vielfaches an Strom und entsorgen sich dabei sozusagen von selbst :D
    73
    Peter/DL3PB

  • Hallo Raimund,
    das einzige Datenblatt mit DC-Kurven, dass ich zum 2N3819 gefunden habe, zeigt nur eine etwa halb so große Steilheit ( ~6mS vs. 13mS ).
    Die gute Nachricht: Die Steilheit ist recht groß und streut kaum.
    Der Arbeitspunkt in der Schaltung wird durch den Drainstrom bestimmt, der durch den Spannungsabfall an den 470 Ohm Source hochlegt und dadurch das Gate, das gleichstrom-mäßig auf Masse liegt negativ werden lässt ( bezogen auf Source ) . Bei sehr großer Steilheit, schnürt sich der FET sehr schnell ab, eventuell musst Du diesen Widerstand etwas kleiner machen, um den beabsichtigten Drainstrom zu erreichen, sonst sinkt die Ein- und damit evtl. die Ausgangsleistung, falls das überhaupt ein Thema ist.
    Unterschiede zwischen den Exemplaren wirst Du in der Schaltung vermutlich eher nicht ausmachen können, dazu sind die Unterschiede in der Steilheit zu gering.
    73!
    Peter/DL3PB