Zusammenfassung Modifikationen HB1B

Ich habe die Modifikationen von Manfred, DL3ARW eingebaut und weiter untersucht. Da ich hier mehrere defekte HB1B liegen habe, konnte ich systematisch vorgehen und so zwei weitere Schwachstellen finden und eliminieren. Nach kompletter Modifikation laufen die HB1B jetzt sehr stabil, alle modifizierten Geräte haben klaglos Dauerstrich bei kurz geschlossener sowie bei fehlender Antenne überstanden . Danke an Manfred für die hervorragende Vorarbeit.

Zusätzliche Änderungen zu Manfreds Mod:
1. Zenerdiode D3 entfernt Grund: mit 43V Zenerspannung ist diese Diode unterdimensioniert.
2. Auskoppelkondensator C8 von 10nF auf 10pF verkleinert. Grund: die maximale Drain/Source Spannung von Q1 beträgt 60V. ich hatte mehrere Fälle, bei denen Q1 durchgeschlagen war. In der Folge hängt dann der Eingangskreis des RX parallel zum Tiefpassfilter. Das ganze Gebilde fängt an breitbandig zu schwingen und schwupps, ist der PA Transistor kaputt. Als zusätzlichen Schutz habe ich als klassische Schutzschaltung je zwei in Serie geschaltete 1N4148 eingebaut.
Eine Zeichnung mit allen Änderungen hänge ich an. Unseren Lagerbestand an HB1B werde ich komplett entsprechend modifizieren.

Zitat von DL1EGR

Sind vergleichbare Modifikationen für den HB-1A untersucht worden?

nein, da beim HB1A diese Probleme bisher nicht bekannt geworden sind. Die Mod der anderen BIAS Erzeugung wäre anwendbar, die Kollektordrossel ist beim HB1A sowieso schon als Ringkern vorhanden, der Empfängereingang ist anders aufgebaut, die Schutzdioden würden hier aber auch Sinn machen.

Zitat von HB9BHL

Wäre auch daran interessiert!
vy 72 Fritz, HB9BHL ++

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Ich versuche es, bitte Geduld

Zitat von DL3MCO

Hallo HB1B User,
hat jemand hier die komplette PA-Modifikation bereits durchgeführt?
Ein ändern von C8 (C protect) von 10nF auf 10pF resultiert bei mir in einer stark eingeschränkten RX-Empfindlichkeit. An einer Behelfsantenne war damit auf 80m / 40m fast gar kein Empfang mehr möglich. Inzwischen habe ich einen 1nF Kondensator eingesetzt.
Oli, DL3MCO

10pF ist zu wenig, da hast du recht und 1nF ist zu viel, da wird dann zu viel Leistung über die Schutzdioden kurz geschlossen. Ich bin gerade dabei, den optimalen Wert zu ermitteln.

Ich habe die Zenerdiode ersatzlos gestrichen, sie macht sowieso keinen Sin weil bei Überschreitung der Collector Emitter Spannung erfahrungsgemäß der Transistor immer schneller ist, als die Zenerdiode.

Mit der Hilfe von DK1HE habe ich weiter geforscht. Ein wirkliches Problem ist der 2N7002, der den RX sperren soll. Eigentlich kann mann ihn so überhaupt nicht einsetzen, da er durch die eingebaute Diode sowieso nur die positive Halbwelle sperrt. Aber da es nicht weiter stört, lassen wir das so, wir können ja nicht das Gerät komplett um konstruieren. Wirklich kritisch ist aber, dass dieser Transistor hoffnungslos überlastet wird, wenn mal Fehlanpassung vorliegt und die Leistung dann auf 8W hochspringt. Bei den letzten 3 die ich hier wegen "macht nur noch ein halbes Watt" auf dem Tisch hatte, waren Q4 und Q7 beide durchgeschlagen während die PA noch funktionierten. Die Schutzdioden sind also unbedingt nötig. Ich habe bei allen die Schutzdioden auf der LP direkt an C8 angelötet, da sind sie stabil untergeracht, die Masseseite an die Stirn des daneben liegenden Widerstandes. Die Beine der Dioden sollten so kurz wie eben möglich gehalten werden. Als besten Wert für C8 habe ich 100pF ermitelt. Bei 100pF geht die RX Empfindlichkeit auf -130dBm zurück, was völlig ausreicht und von der Ausgangsleistung werden nur 100-200mW "geklaut". Der HB1B wird dadurch etwas "entschärft", wird aber um Größenordnungen robuster.

Bei neueren HB1B ist der Emitterwiderstand am Endstufentransistor schon eingebaut. Wenn nicht, Emitter 90 Grad vom Transistor weg biegen, 0,5 Ohm zwischen Enitter und Masseanschlus des Drehgebergehäsuses löten. Einfach und stabil.

Manfreds Gegenkopplung aus 680R und 47nF habe ich einfach von dem dicken Lötpad der nicht mehr vorhandenen zenerdiode zur Basis gelötet. Past ebenfalls gut und ist stabil.

Die Basis Diode lässt sich prima einbauen, wenn man eine 1N4147 in Bauform 0805 benutzt. Einfach die Drossel rausschmeissen und auf dem Platz die Diode löten. (Denkt dran, Kathode zeigt zur Basis.)
Die galvanische Trennung der Basis zum Trafo lässt sich ebenfalls einfach realisieren: Die Seite der Sekundärwicklung, die zur Basis geht auslöten, in das frei gewordene Lötauge einen 47nF einlöten, den Draht der Sekundärwicklung an das freie Ende des 47nF anlöten, fertig.

Die Drossel mit 15 Wdg auf FT37-77 passt super auf den Platz der SMD Drossel.

Noch ein Hinweis, der vor Ärger bewahren kann.
Beim Zusammenbau wird die Massefahne der BNC Buchse direkt auf die Platine gelötet. Unmittelbar schräg hinter der Lötstelle, knapp 1 mm entfernt befindet sich versteckt unter der Ringkernspule der SMD Kondensator C3. Man muss peinlich darauf achten, dass keine Lötbrücke zwischen der Lötstelle der Massefahne und C3 entsteht. Wenn doch, dann kostet das ziemlich sicher den Endstufentransistor, wenn man zum ersten mal auf 80m sendet.