Hallo alle!
Ich habe einen Leforty aufgebaut, aber die Ausgangsleistung ist mir ein bisschen zu wenig.
Ich möchte als PA Transistor einen 2SC1972 einsetzen, hat da jemand Erfahrung was da in der Schlaltung zu ändern wäre um den richtig anzusteuern?
Danke Reinhard DL4DRG
Endstufe (PA)
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Hallo Reinhard,
ist schwierig bei einer schon bestehenden Schaltung bzw. Platine. Was soll die neue Endstufe denn leisten ? Eine Möglichkeit wäre der Ersatz mit einem echten HF-MOSFET da diese jede Menge Verstärkung auf HF bringen und damit womöglich keine Änderung am Treiber nötig wären. Der 2SC1972 benötigt mehr Treiberleistung, da müßte also beim Treiber selber eingegriffen werden. Entweder den Emitterwiderstand des Treibertransistors etwas verkleinern (nicht ideal) oder einen 2. bzw. 3. Treibertransistor, jeweils mit eigenem Emitterwiderstand, parallelschalten. Wenn Du dann auf 10W kommen solltest müßte der Ausgangstrafo der Endstufe neu gewickelt werden.
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Danke Ronald
Es sollen etwa 10watt raus kommen, das würde reichen, deshalb dachte ich den 1972 zu nehmen, ich sehe aber es wird nicht so einfach werden. -
Hallo
Was für ein Mosfet wäre den denkbar um den 1971 den ich durch den 1972 ersetzen wollte , zu nehmen.
Bei uns im ov sind leider keine mehr die in der Richtung noch was machen und da ist fragen schwer.
Danke -
Hallo Reinhard,
da bist Du aufgrund des TO220 Gehäuses sehr begrenzt, glücklicherweise gibt es den RD16HHF1 beim FA für wenig Geld. Gleichzeitig würde ich einen neuen, lineareren (Klasse A mit erhöhtem Betriebsstrom) Treibertransistor spendieren (z.B. 2N5109, 2N3866 o.ä) was aber möglicherweise (?) erstmal nicht nötig ist.
Die Verstärkung des MOSFET kann sehr hoch werden bei diesen kleinen Frequenzen (bis zu 30dB), deshalb muß eine Gegekopplung (RC Reihenschaltung von Drain nach Gate) vorgesehen werden. Dieses RC-Glied verändert zwangsläufig die Eingangsimpedanz (bzw. Ausgangsimpedanz) womit der Treiber anders belastet wir (geringere Verstärkung).
Die Vorspannungseinstellung für's Gate muß auch verändert werden, es werden um die 5V variabel, zur Ruhestromeinstellung, benötigt.
Der Ausgangstrafo sollte danach, bei den angepeilten10W ausgangsleistung, auf 1:3 (Z=1:9) Windungsverhältnis gewickelt werden.
Das allergrößte Problem (da mechanischer Natur) besteht aber in der Kühlung des MOSFETs, der aktuelle Kühlkörper ist nicht mal annähernd dafür ausgelegt ! Der Transistor setzt schon mit einem Ruhestrom von 250-300mA für AB-Betrieb fast 4W Wärme um.