Beiträge von DL4ZAO

Sieht auf den ersten Blick aus wie eine Platinenrandsteckverbindung. (edge connector)

73, Günter

Zitat von DG0JAZ

So viel ich weis, bedeutet die Konformitätserklärung, das der Hersteller erklärt, das sein Produkt CE Konform ist.
Und dann klebt er einfach das CE drauf.

Etwa so wie bei einer Briefmarke auf einer Postkarte?

Da CE allerdings eine Konformitätserklärung der Übereinstimmung mit der EU Direktive 2004/108/EG (EMV Verträglichkeit) darstellt - mit allen Haftungsrisiken, ist leider etwas mehr zu tun:

Aus: Gesetz über die elektromagnetische Verträglichkeit, Anlage 1, Technische Unterlagen, EG-Konformitätserklärung

1. Technische Unterlagen
Anhand der technischen Unterlagen muss es möglich sein, die Übereinstimmung des Gerätes mit den
grundlegenden Anforderungen nach § 4 Abs. 1 zu beurteilen. Sie müssen sich auf die Konstruktion und die
Fertigung des Gerätes erstrecken und insbesondere Folgendes umfassen:
a) eine allgemeine Beschreibung des Gerätes;
b) einen Nachweis der Übereinstimmung des Gerätes mit den angewandten harmonisierten Normen;
c) falls der Hersteller harmonisierte Normen nicht oder nur teilweise angewandt hat, eine Beschreibung
und Erläuterung der zur Übereinstimmung mit den grundlegenden Anforderungen nach § 4 Abs. 1 getroffenen
Vorkehrungen; die Beschreibung muss insbesondere die nach § 7 Abs. 2 vorgenommene
Bewertung der elektromagnetischen Verträglichkeit, die Ergebnisse der Entwurfsberechnungen, die
durchgeführten Prüfungen und die Prüfberichte umfassen;
d) eine Erklärung der benannten Stelle, sofern eine Bewertung nach § 7 Abs. 4 erfolgt ist.

2. EG-Konformitätserklärung
Die EG-Konformitätserklärung muss mindestens folgende Angaben enthalten:
a) einen Verweis auf die Richtlinie 2004/108/EG; bzw Richtlinie 1999/5/EG (Funkanlagen).
b) die Identifizierung des Gerätes, für das sie abgegeben wird, nach § 10 Abs. 1;
c) Namen und Anschrift des Herstellers und gegebenenfalls seines in der Gemeinschaft ansässigen Bevollmächtigten;
d) die Fundstellen der Spezifikationen, mit denen das Gerät übereinstimmt und aufgrund deren die Konformität
mit den Bestimmungen der Richtlinie 2004/108/EG erklärt wird;
e) Datum der Erklärung;
f) Namen und Unterschrift der für den Hersteller oder seinen Bevollmächtigten zeichnungsberechtigten
Person

Dank an Horst, dj6ev,
für die sachliche Bereitstellung und Hervorhebung der Texte der EU-Directive

ich ziehe es auch vor, entsprechende Papiere direkt zu einzusehen, anstatt auf Informationen vom Hörensagen mit Aktionismus und Panik zu reagieren.
Das Gute an der EU ist: die meisten Papiere sind öffentlich zugänglich und Keiner muss sich auf Mutmaßungen verlassen.
(selber)Lesen bildet eben doch ungemein.

Edit: Die Umsetzung dieser Richtlinie im deutschen Recht nennt sich "Gesetz über die elektromagnetische Verträglichkeit von Betriebsmitteln" oder kurz "EMV-Richtline" und darin findet sich i n§2 Abschnitt 4 der derzeit geltende deutsche Ausschluss-Text, dass Selbstbaugeräte und Kits von den Regelungen dieser EMV Richtlinie ausgenommen sind.

Die englische Novellierung ändert wie Horst gezeigt hat, nichts an der Formulierung, nur an der Struktur des Dokuments. Es steht also in Frage, ob die deutsche Richtlinie aus dem Jahr 2008 überhaupt den Text ändern muss, denn Gliederung und Struktur sowie die Umsetzung in nationale Regelwerke ist den nationalen Behörden vorbehalten.

merci
Günter

Zum Beispiel der Rightmark Audio Analyzer
oder True RTA
oder der geniale Audio Spektrum Analyzer "Spectrum Lab" von DL4YHF.
73, Günter

Zitat von de0508

.....mit -12dBm hat den gesamten Verstärker übersteuert; ist aber als Vorstufe für einen Frequenzzähler nicht kritisch und auch gewünscht.

Dabei ist zu beachten: einen Transistor in die Sättigung zu fahren ist bei hohen Freqenzen nicht ratsam. Denn er kommt nur langsam aus dem Sättigungsbetrieb wieder heraus, weil erst Ladungsträger ausgeräumt werden müssen. Das macht ihn weitaus langsamer, als im linearen Betrieb. Im Sättigungsbetrieb wird auch ein Gigahertz Transistor zur lahmen Krücke und macht bei einigen zig Megaherzt schlapp. Die Angabe der Transitfrequenz gilt also nicht für den Betrieb als Rechteck-Schalter in der Sättigung.

73, Günter

Hallo Uwe,

deine Messwerte machen mich stutzig, insbsondere die angeblichen 28 dB Verstärkung. Die von dir verwendete Schaltung arbeitet fast ohne Gegenkopplung mit Vollgas. In einer Simulation liegt die mit 50 Ohm belastete Verstärkung schon bi 50 dB. Kann es sein, dass dein Verstärker schon in der Begrenzung ist? Hast du schon mal mit einem Oszilloskop geprüft, was da an Wellenform rauskommt.

Nach meiner Erfahrung ist die Betriebsspannung von 5V auch nicht ausreichend, um die von dir verwendeten FETs in einem vernünftigen Kennlinienbereich zu betreiben. Ich befürche daher, dass der BF245C gar nicht richtig durchgesteuert wird. Miss mal HF Spannung (z.B. bei 100 kHz, die Basis des nachfolgenden Bipolartransistors sollte abgehängt sein) vor dem FET und nach dem FET Impedanzwandler. Wenn er richtig durchsteuert, darfst du nur wenige Prozent verlieren.

Zitat von DL8DWW

Am Eingang würde ich aber noch 2 antiparalellgeschaltete Dioden zum Schutz gegen höhere Eingangsspannungen vorsehen

Dabei ist zu beachten, dass eine Diode je nach Typ eine erhebliche Sperrschichtkapazität aufweist. Diese Sperrschichtkapazität (mal 2) bildet einen Spannungsteiler mit dem Innenwiderstand der zu messenden Quelle und kann daher bei sehr hochohmigen Quellen Verstärkung und Frequenzgang beeinflussen..

Zur Schaltung ansonsten ist anzmerken, dass die Transistorstufen einen Ausgangswiderstand in der Größenodung des Kollektorwiderstandes haben. In diesem Falle 460 Ohm im Leerlauf. Der reale Ausgangswiderstand der letzten Stufe ist also der Kollektorwiderstand parallel dem Eingangswiderstand des angeschlossenen Detektors, im Falle NWT also 460 // 50 Ohm. Dementsprechend ist die Leerlaufverstärkung trotz Spannungsgegenkopplung lastabhängig. Bei einer Ausgangsstufe als Emitterfolger könnte man diese Abhängigkeit der HF-Vestärkung von der Last vermeiden. Da die Stufen wegen der geringen Betriebsspannung ohne Stromgegenkopplung (Emitterwiderstand) betrieben werden, ist auch keine allzugroße Stabilität und Linearität zu erwarten. Für die Zwecke als einfacher hochohmiger Detektor oder als Vorverstärker für einen Zähler reicht das vollkommen aus. In einem Layout würde ich einen Emitterwiderstand mit parallel C zur Stromgegenkopplung und einen Widerstand von der Basis nach Masse zumindest vorsehen, dann kann die Schaltung bei Bedarf auch mit stabilem Arbeitspunkt und definierter Verstärkung betrieben werden.

Da die Linearität nicht im Vordergrund steht, könnte man bei der Eingangsstufe auf den zweiten FET als Stromquelle verzichten. Man gewinnt dadurch bei den 5V Betriebsspannung eine geringfügig höhere Aussteuerfähigkeit, muss als Nachteil dafür aber den Strom individuell mit dem Gate Spannungsteiler einstellen, die die FETs Streuungen haben.

73, Günter

Zitat von de0508

Warum weicht hier die Simulation so weit von den Messwerten, was auch die Empfindlichkeit bis 40MHz betrifft, ab ?

Eine Simulation bildet die Realität nur insoweit ab, wie die Modelle den tatsächlichen Gegebenheiten entsprechen.
So sind die eingesetzten Transistormodelle in diesem Falle rudimentär (was unterhalb 50 MHz allerdings keine Rolle spielen sollte). Auf der anderen Seite haben wir keine klar definierte 50 Ohm Umgebung, sondern es handelt es sich um ein Schaltung mit mehreren Millionen Ohm Eingangswiderstand. Da spielt jedes zehntel Picofarad im Schaltungsaufbau eine Rolle. Die Modellierung der Eingangsimpedanz von Antennenstab und dem Schaltungsaufbau bildet die Realität daher nur unzureichend ab. Und auch Induktivitäten sind nicht ideal. Mit zunehmender Frequenz spielen Kerneffekte und die Wicklungskapazitäten eine Rolle und eine Spule wird immer mehr zu einem komplexen Gebilde aus L, R und C.

Wie sieht die Messung des Frquenzgangs denn aus, wenn der Eingang ohne frequenzbestimmende Elemente (direkt vor dem FET Koppel C) mit 50 Ohm abgeschlossen gewobbelt wird?

73, Günter

Zitat von de0508

ich habe mich noch gefragt, wie kommt man auf die Impedanz eines kurzen Strahlers

Ich habe die Werte aus einer Tabelle, die bei mir rumlag. Theoretische Grundlagen findest du in dem Buch "Kurze Antennen" von Gerd Janzen und in dem Aufsatz von Landstorfer/Meinke "Ein neues Ersatzschaltbild für die Impedanz kurzer Strahler." Auf diesen Quellen gründet auch ein Artikel von DL6QA auf " Extrem kurze Monopolantennen für den Kurzwellenbereich".

73, Günter

Uwe, du kannst ja mal bei Gelegenheit den Frequenzgang mit dem NWT messen. Einmal mit 50 Ohm Quelle und vielleicht einmal mit 2 Ohm Quellimpedanz (Pad mit 47 Ohm längs und 2 Ohm gegen Masse) und dann noch 5 pF Serien C vor dem Eingang zur Simulation eines kurzen Antennenstabes.

Günter

Ich halte eine noch größere Anhebung bei 10 m nicht förderlich. Auf 10m ist es eine Aktivantenne sowieso nicht mehr eine "kurze Antenne", so dass der Vorteil der extrem hochohmigen Eingangsstufe immer mehr ins Hintertreffen gerät. Inwieweit der simulierte Frequenzgang auch exakt so in der Realität so eintrifft, muss sowieso gemessen werden. Schließlich spielen die Parameter des Antennenstabs durchaus wichtige Rolle

Hallo Uwe,
in ersten Plot sind deine Änderungen drin. Wie erwartet haben die auf 100 nF verkleinerten Koppelkondensatoren nur am unteren Freuqenzende eine Auswirkung. Was sich deutlich auswirkt, ist das L am Eingang. Es gibt mit dem C der Antenne und der Eingangskapazität des FET einen Kreis bei ca. 40 MHz mit einer deutlichen Verstärkungserhöhnung, danach fällt der Frquenzgang ab (Plot1) . Das kann ein durchaus erwünschter Effekt ein, um die starken UKW-Sender abzusenken. Wenn man dal L entfernt ( Plot 3) ist die Welt wieder in bester Ordnung.

Edit: Wenn man den Kreis bedämpft, in dem man dem Eingangs- L von 8 uH einen Widerstand von 3,3 Kiloohm parallel schaltet, wird die drastische Resonanzerhöhung mit dem Phasensprung beseitigt. (Plot 2). Die UKW Sender sind aber dadurch schön um min. 12 dB abgesenkt.

Grün = Input
Rot = Output

73, Günter

Ich habe mal eine LT-Spice Simulation der E-Feld Aktivantenne geplottet. Der Antennenstab ist simuliert als Generator mit einem Innenwiderstand von 5 Ohm und einem Serien C von 5 pF, das ist in etwa die Kapazität eines 70cm langen Stabes. Ausgangslast ist 50 Ohm. Es ist kein Tiefpass vor dem Eingangs-FET. Man sieht, die Spannungs-Verstärkung des Impedanzwandlers ist etwas kleiner als eins. Die 3 dB Bandbreite reicht von 10 kHz bis 200 MHz. Zwischen 50 kHz und 50 MHz ist der Frequenzgang glatt.

Eingangssignal (grün)
Ausgangssignal (rot)
Phasengang gestrichelt

73, Günter

Uwe,
klasse dass es trotz meines Fehlers im Layout nach Umbau funktioniert.
Ein Tipp: Deine Dipol überfährt sehr wahrscheinlich den extrem hochohmigen Eingang. Ich empfehle deshalb einen Stab von max 70cm bis 1m Länge. Selbst damit sollte es möglich sein, Mittelwellensender einwandfrei zu empfangen.

Das Schaltbild hänge ich zur Information für die Mitleser als pdf an. Es handelt sich bei dieser E-Feld Aktivantenne im Grunde um einen Versuch, die bekannte PA0RDT "Mini-Whip" im Großsignalverhalten zu verbessern. Die FET Impedanzwandlerstufe arbeitet jetzt anstatt auf einen Widerstand auf einen identischen FET als Konstant-Stromquelle, das soll die Linearität verbessern. Als Treiberstufe wurde eine temperatukompensierte Gegentakt-Push-Pull Emitterfolger Endstufe im "fast A Betrieb" gewählt. Dabei wurde auf Untersuchungen von Dallas Lankford und Chris Trask N7ZWY zurückgegriffen. Das Relais dient lediglich als Schutzmechanismus, um den Antenneneingang nach Masse kurzzuschließen, so lange keine Betriebsspannung anliegt. Ebenfalls als Transientenschutz bei Gewittern ist am Eingang ein Gasableiter vorgesehen und für die Fernspeisespannung ein schneller Varistor. Die Verstärkung der Aktivantenne ist <1, sie funktioniert als Breitband Impedanzwandler für ein kurzes Antennenstäbchen.

73, Günter

Matthias,

Du kannst die Vestärkung ohne Veränderung des DC Arbeitspunktes und ohne Beeinflussung von Eingangswiderstand und Frequenzgang einfach dadurch reduzieren, in dem du den Ausgangswiderstand (= Kollektorwiderstand parallel RLast) für Wechselstrom niedriger machst. Dazu einfach vom Kollektor einen zusätzlichen Widerstand RLast mit einem C in Serie nach Masse schalten (Bild C12, R23 und C13,R24). Dieser Widerstand liegt für Wechselstrom dem Kollektorwiderstand parallel und erniedrigt den Gesamt-Ausgangswiderstand RA. Da die Spannungs-Verstärkung bei der Basisschaltung vom Verhältnis Ausgangswiderstand/Steilheit bestimmt wird, und die Steilheit widerum durch den DC Arbeitspunkt festgelegt ist, kann durch die Wahl des Ausgangswiderstandes RA = RC//RLast damit die Verstärkung eingestellt werden.

73, Günter

Schau mal hier:

http://www.jens-wesemann.de/basis1.htm
http://www.re.e-technik.uni-ka…Bipolartransistor%208.pdf
http://public.rz.fh-wolfenbuet…chwald/vl/tev/Kap4TEV.pdf
http://www.ieap.uni-kiel.de/pl…-piel/elektronik/V13.html

Das Problem ist , den Arbeitspunkt so einzustellen, dass sich der Eingangswiderstand nicht allzusehr verändert und gleichzeitig die Aussteuerbarkeit günstig liegt.

Für die Einstellung des DC Arbeitspunkts hier ein kleines Javskript Tool

73, Günter

Matthias,

Das atmosphärische Rauschen unter 30 MHz ist in der Regel weitaus höher als der Rauschanteil der BF199. Der Anstieg des Grundrauschpegels bei eingeschaltetem Verstärker zeigt aber, dass die Gesamtverstärkung unnötig hoch ist. Es macht also Sinn, die Verstärkung der Eingangsstufe zu reduzieren. Der Signal/Rauschabstand sollte dadurch nicht schlechter werden.

73, Günter

Probier mal eine Ferritperle über das Basis-Beinchen des BF199 zu schieben.

73, Günter

Hallo Jörn
Die deutsche Verordnung basiert auf der Europanorm EN 301 783-1, ist also zumindest im gesamten Europäischen Wirtschaftsraum gültig.
Für die USA sind es die FCC Rules Part 97, Abschnitt 307 "Emission Standards", die für den Amateurfunk gelten : FCC Part 97 regulations governing spectral purity are contained in 97.307 of the FCC rules.

Daneben kann jedes Land im Prinzip seine eigene Suppe kochen, in aller Regel sind die Anforderungen eher geringer als härter.

73, Günter

Guckst du hier: Verfügung Nr. 22/2007 Richtwerte für unerwünschte Aussendungen gemäß § 16 Abs. 4 Satz 2 der Amateurfunkverordnung (AFuV)

Und zur Begriffsdefinition : "Unerwünschte Aussendungen sind die Aussendungen gemäß § 2 Nr. 11 der AFuV"

Auszug, AfuV § 2, Nr. 11:unerwünschte Aussendung" jede Aussendung außerhalb der erforderlichen Bandbreite; dies ist die Bandbreite, welche für eine gegebene Sendeart gerade ausreicht, um die Übertragung der Nachricht mit der Geschwindigkeit und Güte sicherzustellen, die unter den gegebenen Bedingungen erforderlich ist.

73, Günter