Hallo Experimentier Freunde,
Ich möchte darauf aufmerksam machen das der Link nicht mehr Aktuell ist und ins Leere geht, vielleicht hat ja jemand einen Aktuellen Link?
Bis dann weiterhin lustiges Experimentieren es vy 72 73 de Norby aus dem Oinkk Kalten Belecke Aktuell - 9°C!!
Servus Norby,
g* liefert mir :
http://www.darc.de/mitglieder/…jfet-vergleichsmessungen/
http://www.darc.de/mitglieder/…-arbeitspunkteinstellung/
passt das ?
Hallo Uwe, hallo Norby
der DARC hat die Verlinkung geändert und unsere OV-Seite G38 musste deshalb umziehen.
Deshalb hier der funktionierende link: http://www.darc.de/distrikte/g…jfet-vergleichsmessungen/
und : http://www.darc.de/distrikte/g…-arbeitspunkteinstellung/ .
Habe es nicht geschafft, die linkfunktion zu aktivieren.
edit: jetzt funktioniert se doch, die linkfunktion und der link auch.
vy 73 de Gerhard
Hallo Freunde,
Hallo Gerhard, Günter und Uwe,
Vielen Dank ALLEN, nun ist meine Bookmark Liste wieder bereinigt die "NEUEN" Links Funktionieren nun wieder UFB und Danke für die Applikation(en), sind immer wieder mal zu gebrauchen wenn ich am Experimentieren bin und es nicht Funktioniert 
Bis denn und weiterhin frohes, vor allem erfolgreiches Experimentieren mit vy 72 73 de Norby aus Belecke
Kleiner Hinweis: Die interne Verlinkung auf das "J-Fet Tutorial" am Ende des Artikels "Messung der Verstärkung von J-Fet Transistoren" auf Eurer DARC Webseite führt auch ins Leere und muss auch auf das neue Ziel geändert werden.
Hi Günter,
danke für den Hinweis, hab's behoben.
vy 73 de DL2KEB Erik
Welcher FET ist der günstigste?
Hallo Raimund,
Dafür wäre die Steilheit entscheidend: Einfach die Gate-Spannung oberhalb der Schwelle um einen bestimmten Betrag z.B. 100mV ändern und die Stromdifferenz(!) notieren. Am besten an dem Arbeitspunkt ( gewünschter Drain-Strom ) der auch für die geplante Schaltung gilt messen - falls der nicht bekannt ist, zumindest bei vergleichbaren Drain-strömen, die Steilheit ist nicht überall gleich.
Wenn der FET in der geplanten Schaltung keinen Gleichspannungs-Arbeitspunkt hat, könnte der FET mit der kleinsten Schwellspannung ( für einen bestimmten Strom ) die grösste Amplitude liefern.
Viel Erfolg
Peter/DL3PB
Um die Steilheit zu messen muss ich mir ein Steckbrett fertig machen....
Hallo Raimund,
ok, der FET ist selbstleitend d.h. mit 0V Gatespannung fliesst ein Strom zwischen 2 und 20mA lt. Datenblatt - also einfach Drainstrom mit Source und Gate kurzgeschlossen bei Versorgungsspannung messen und anschliessend eine definierte Gatespannung z.B. -1.5V aus Batterie anlegen und den ( nun niedrigeren ) Drainstrom erneut messen, die Strom-Differenz geteilt durch die angelegte Gatespannung ist ein brauchbares Maß für die Steilheit um diesen Arbeitspunkt ( auf der Mitte zwischen 0v bzw. -1.5V ), also bei -0.75V - er sollte bei einigen ( 2....6 ) mA/V = mS liegen.
Das geht auch mit ein paar Kroko-klemmen - Batterie hat den Vorteil, das sie potentialfrei ist - der o.g. Kurzschluss empfiehlt sich, wenn man das Gate in der Luft hängen lässt, kann es alle möglichen Potentiale annehmen - ein Netzgerät mit Strombegrenzung braucht man dafür auch nicht, zumindest wenn man sich über den FET-Typ sicher ist - Fake-FETs ziehen oft ein vielfaches an Strom und entsorgen sich dabei sozusagen von selbst 
73
Peter/DL3PB
Hallo Raimund,
das einzige Datenblatt mit DC-Kurven, dass ich zum 2N3819 gefunden habe, zeigt nur eine etwa halb so große Steilheit ( ~6mS vs. 13mS ).
Die gute Nachricht: Die Steilheit ist recht groß und streut kaum.
Der Arbeitspunkt in der Schaltung wird durch den Drainstrom bestimmt, der durch den Spannungsabfall an den 470 Ohm Source hochlegt und dadurch das Gate, das gleichstrom-mäßig auf Masse liegt negativ werden lässt ( bezogen auf Source ) . Bei sehr großer Steilheit, schnürt sich der FET sehr schnell ab, eventuell musst Du diesen Widerstand etwas kleiner machen, um den beabsichtigten Drainstrom zu erreichen, sonst sinkt die Ein- und damit evtl. die Ausgangsleistung, falls das überhaupt ein Thema ist.
Unterschiede zwischen den Exemplaren wirst Du in der Schaltung vermutlich eher nicht ausmachen können, dazu sind die Unterschiede in der Steilheit zu gering.
73!
Peter/DL3PB
Hallo Raimund,
die Steilheit ausmessen , alles ganz schön und gut. Du baust einen Oszillator auf.
Den 3819 betreibst Du in dieser Schaltung mit 1 bis 3mA an Strom. Bei mehr Strom
bekommst Du Erwärmung der Bauteile und die Frequenz driftet. Mache den Source
Widerstand so groß dass sich dieser Strom einstellt. Du legst zur Einstellung / Ausmessung
des Stromes den Widerstand noch nicht an die Anzapfung, erst einmal nur gegen Masse.
Wenn der Strom stimmt dann wird an die Anzapfung geschaltet. Wenn Deine Anzapfung
den richtigen Wehrt hat schwingt der Oszillator mit einem sauberen Sinus. Schwingt er nicht
oder ist kein Sinus, stimmt die Anzapfung nicht.
Nach dieser Methode habe ich mit dem 3819 schon so einige Oszillatoren aufgebaut
und die funktionieren bis jetzt bestens. Von Gate nach Masse fehlt noch eine Diode.
Katode gegen Masse und Anode gegen das Gate. Es muss eine negative Richtspannung erzeugt
werden so dass Du immer ein gleichbleibendes sauberes Signal erhälst. Diode = 1N4148.
Verwende mal einen 3819 mit einem mittleren bis hohen Strom nach Deinem Ausmessen, jedenfalls
keinen mit zu niedrigen Strom, dann liegtst Du schön weit oben im liniaren Bereich der Kennlinie.
Hoffe , ich habe Dir den Spaß jetzt nicht verdorben...
Schönen Advent..
73 de
Von Gate nach Masse fehlt noch eine Diode.
Katode gegen Masse und Anode gegen das Gate. Es muss eine negative Richtspannung erzeugt
werden so dass Du immer ein gleichbleibendes sauberes Signal erhälst. Diode = 1N4148
Hallo Manfred,
vielleicht verstehe ich Dich ja falsch, aber eine gleichgerichtete negative Spannung über einer Diode von Gate nach Masse würde doch durch das L kurzgeschlossen ?!
73!
Peter/DL3PB
Hallo Peter,
werde noch mal in meinen Unterlagen nachsehen (Schaltplänen) , auch bei dem, was ich gebaut habe,
melde das Ergebnis hier dazu . Kann sein,dass das Gate mit 100k gegen Masse gelegt wird, dazu die
Diode, die Einkopplung vom Schwingkreis dann über ein Trenn-C , so 100pf.
Wie gesagt, ich sehe nach. Jedenfalls mit der Diode bekommt man die genannten Efekte wie sauberen
Sinus bei etwa konstantem Pegel und minimaler Frequenzdrift.Aber es kann auch sein, dass auf der
Platine dafür kein Platz vorhanden ist.
Peter, entschuldige, der Trennkondensator vom Gate zum Schwingkreis fehlt wirklich. Passierte
in der Eile des " Gefechts " . Nähere Einzelheiten zur Schaltung bitte bei der Moskita nachschauen.
In meiner Moskita hat das Source einen Lägswiderstand von 750 Ohm erhalten, parallel 470pf.
Spannung an der Source mit einem BF246 +1,6V. das sind dann so 2mA.
Wichtig, den Ring der Diode gegen Masse, dann wird die positive Halbwelle abgeschnitten, die
negative ergibt die Regelspannung. Ich habe schon Oszillatoren gebaut dort waren am Schwingkreis
am Hochpunkt etwa 5 bis 6 V an HF vorhanden.
Und wenn ich schon dabei bin.....
Die Spannung am Hochpunkt ist die sauberste Stelle für eine Sinusspannung. Wie gesagt 6V und sogut wie
kein Rauschen. Dort mit einem kapazitiven Spannungsteiler ( Widerstände rauschen ) von 100 zu 1 bis
auf 300 zu 1 teilen , 1pf zu 330pf oder 1,5pf zu 220pf ..danach einen Trennverstärker , BF199 , und man
hat ein super sauberes Signal. ( genug geschwärmt )
Wünsche eine schöne Woche. Und wie man das realisieren kann, schaue ich mir auf meiner Leiterplatte an.
Diese liegt angefangen in einer Schachtel..... Asche auf mein Haupt..
73 de
Hallo Manfred,
hatte mir schon gedacht, dass Du eine andere Beschaltung im Kopf hast - die von Raimund gepostete Schaltung kann man ganz bestimmt noch weiter aufbohren, aber da er nicht verraten hat, was sie leisten soll bzw. welche Eigenschaften im System wichtig sind, macht das nur bedingt Sinn. Über die Bedeutung der Steilheit in einer Oszillatorschaltung kann man ebenfalls trefflich streiten, dennoch macht es Sinn, sich den Ruhestrom und die Steilheit ganz grob anzuschauen. Ich habe erst kürzlich ein dutzend angeblicher "BF245" entsorgt, deren Ruhestrom deutlich über 100mA lag. Leider merkt man das oft erst, wenn die Schaltung nicht wie gewünscht funktioniert und man alle anderen Fehler ausgeschlossen hat...
73
Peter/DL3PB
Hallo Raimund,
wie schon vorher angeführt , hatte ich mit dem 3819 eigendlich gute Erfahrungen gemacht.
Welchen Typ hast Du denn jetzt eingesetzt ?
Will ja noch vor Weihnachten den meinigen aufgebaut haben, Material muss bestimmt auch noch
bestellt werden, da könnte ich doch gleich den "richtigen" mit einkaufen...
73 de
wie schon vorher angeführt , hatte ich mit dem 3819 eigendlich gute Erfahrungen gemacht.
FET weisen große Exemplarstreuungen auf. So darf zum Beispiel ein FET Chip, der als 2N3819 vermarktet wird, eine Steilheit zwischen 2 und 6,5 mS haben, oder einen Abschnürstrom Idss zwischen 2 und 20mA. Das ist Faktor 10 Varianz! Da ist es nicht unbedingt sicher, dass ein solcher FET in einer bestimmten Schaltung immer gleich gut funktioniert. Grundsätzlich werden FET Wafers nach der Herstellung selektiert und davon abhängig von den Stichproben mit verschiedenen Typenbezeichungen gestempelt. So kommen aus der gleichen Chipgeometrie zum Beisiel ein 2N3819, ein 2N4416, ein MPF102, ein BF256 oder ein BF245 oder Andere . Der gleiche Chip wird dann noch mal als Verstärker oder als Schalter wiederum in verschiedenen Gehäusen unter verschiedenen Typenbezeichnungen vertickert. Daher diese Unzahl von JFET Typen, obwohl viele aus dem gleichen Prozess gewonnen werden.
Fairchild ist übrigens der einzige namhafte Hersteller, der die Prozessnummer (Chipgeometrie) auf seinen Datenblättern ausweist: "Selecting the best JFET for your Application"
In der AN kann werden detailliert die Eigenschaften der verschiedenen Prozessnummern erläutert und man sieht die Unzahl von FET Typenbezeichnungen, die aus dem gleichen Prozess stammen und mehr oder weniger ähnliche Eigenschaften aufweisen.
FET Familien wie die BF245/BF246Gruppe gibt es in A-B-C Abstufungen etwas enger selektiert. Dem 2N3819 vergleichbar ist ein BF245C, ein steilerer FET ist z.B. der J310 oder BF246A. Aber wie vorher schon erwähnt, ist im Oszillatorbetrieb die Steilheit nicht unbedingt der bestimmende Faktor, da spielt auch das Schaltungsdesign eine sehr große Rolle.
Ganz allgemein kann man davon ausgehen, dass FET mit hohem IDSS auch eine große Steilheit aufweisen. Nützliche Informationen und Liste zum FET Vergleich hier: http://www.guitar-letter.de/Kn…DieFETVergleichsliste.htm
73
Günter
Da passt auch das nue Video von W2AEW zum Thema
#219: Back to Basics: Introduction to Field Effect Transistors JFET MOSFET
Hallo die Runde,
danke für die Infos, habe daten und Tabellen mir gleich mal abgespeichert.
Hoffendlich finde ich sie beim nächsten Suchen auch wieder... hi..
73 de
