Automatische Identifizierung von:
Bipolare Transistoren
Darlington Transistoren
MOSFET
N-channel MOSFET
Feld Effekt Transistoren
Triacs
Thyristoren
Dioden / LEDs
Unijunction Transistorenn
Herausfinden interner Kurzschlüsse, Messung des internen Widerstandes
Gemessene Parameter und andere Eigenschaften:
Automatische Identifizierung der Pinbelegung
Verstärkungsmessung ( HFE ) bei bipolaren Transistoren
Anzeige des Strom unter Test (Kollektor oder Drain Strom)
VBE und IB Messergebnis
Ermittlung des Basis-Emitter Shunt Widerstandes
Ermittling der Kollector-Emitter Diode
Messung des Kollector Leckstromes ICEO
Automatische Erkennung des Typs bei bipolaren Transistoren (Ge/Si)
Gate threshold Spannungs-Messung ( VTH ) von MOSFETs
Messung von VTH, IDSS und RDSON bei JFETs
Messung von Vorwärtsspannung und Strom bei Dioden
Leckstrom von Dioden
RBB und ETA Messung bei Unijunction Transistoren
Interne Kurzschluss Detektion mit Widerstandsangabe
Externe Messköpfe für Opto-Koppler, Strom-Transfer Ratio, LED Strom und Vorwärts-Strom.
Andere Eigenschaften:
Detektor für niedrige Batterie
Hintergrundbeleuchtung wird automatisch eingeschaltet, sobald ein Bauteil identifiziert wurde. Abschaltung automatisch nach 30s Inaktivität.
Link zur homepage: http://www.qrpproject.de/Analyser.html